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/*文件描述:本文件包含的子程序为 *
* 1.void EarseFlash(unsigned int addr) *
* Flash擦除子程序 *
* 2.void WriteFlash(unsigned int addr) *
* Flash写入子程序 *
*说 明: *
* 1.用来暂存写入或擦除程序的首末地址的变量pbase, *
* pend;用来暂存待写入或擦除的Flash首地址faddr; *
* 用来存放写入的数据个数N和写入的数据data[]必须 *
* 在main函数中定义,否则将出错 *
* 2.调用擦/写子程序之前先将待擦/写页的后一页开始的 *
* 所有区域写保护 *
*-------------《嵌入式应用技术基础教程》--------------*/
//[包含头文件]
＃i nclude "GP32C.h"
＃i nclude <String.h>
//外部内存变量声明
extern unsigned char N,data[];
extern unsigned int pbase,pend,faddr;
unsigned char PrgOfRam[]; //存放擦/写FLASH程序以便执行
//内部调用函数声明
void DoEarseFlash(void);
void DoWriteFlash(void);
/*EarseFlash:擦除指定flash的一页-----------------------*
*功 能:擦除以addr为首地址的flash一页 *
*参 数:addr要擦除的首地址 *
*返 回:无 *
*-----------------------------------------------------*/
void EarseFlash(unsigned int addr)
{
faddr=addr; //擦除flash的首地址
//将擦除程序从Flash区拷贝到RAM区PrgOfRam
asm("ldhx #_DoEarseFlash"); //擦除程序的首地址->HX
asm("sthx _pbase"); //HX->内存变量pbase
asm("ldhx #_EarseFlash_END"); //擦除程序的末地址->HX
asm("sthx _pend"); //HX->内存变量pend
memcpy((void *)PrgOfRam,(void *)pbase,pend-pbase);
//在RAM区执行擦除程序
asm("ldhx #_PrgOfRam"); //擦除程序在RAM区的首地址
asm("jsr ,X"); //执行RAM区域的擦除程序
}
/*DoEarseFlash:擦除指定flash区-------------------------*
*功 能: 真正执行擦除addr指向的flash区的操作 *
*参 数:无 *
*返 回:无 *
*内部调用:延时函数delay1 (用嵌入汇编调用) *
*-----------------------------------------------------*/
void delay1(void);
void DoEarseFlash(void)
{
unsigned char i;
FLCR=0b00000010; //①1->ERASE,0->MASS(页擦除)
i=FLBPR; //②读FLBPR
//③任意数->faddr,选中flash页
*((volatile unsigned char *)faddr)=68;
asm ("bsr _delay1"); //④延时10us
FLCR=0b00001010; //⑤1->HVEN (加高压)
asm ("bsr _delay1"); //延时时间必须>1.6ms
FLCR=0b00001000; //⑦0->Erase
asm ("bsr _delay1"); //⑧10us
FLCR=0b00000000; //⑨0->HVEN(取消高压)
asm ("bsr _delay1"); //⑩延时10us
}
void delay1(void) //延时一定时间,供上述程序调用
{ unsigned char j;
for (j=0;j<10;j++); }
void EarseFlash_END(void) //擦除程序的末地址
{ }
/*WriteFlash:向addr指向的flash区写入数据---------------*
*功 能:向指定flash地址写入数据 *
*参 数:addr要写入的首址 *
*返 回:无 *
*-----------------------------------------------------*/
void WriteFlash(unsigned int addr)
{
faddr=addr; //写入flash的首地址
//将写入程序从Flash区拷贝到RAM区PrgOfRam
asm("ldhx #_DoWriteFlash"); //写入程序的首地址->HX
asm("sthx _pbase"); //HX->内存变量pbase
asm("ldhx #_WriteFlash_END");//写入程序的末地址->HX
asm("sthx _pend"); //HX->内存变量pend
//将写入程序从Flash区拷贝到RAM区PrgOfRam
memcpy((void *)PrgOfRam,(void *)pbase,pend-pbase);
//在RAM区执行写入程序
asm("LDHX #_PrgOfRam"); //写入程序在RAM的首地址
asm("jsr ,X"); //执行RAM区的写入程序
}
/*DoWriteFlash:实际执行的写入函数----------------------*
*功 能:调入内存执行擦除指定flash地址的数据 *
*参 数:无 *
*返 回:无 *
*内部调用:延时函数delay2(用嵌入汇编调用) *
*-----------------------------------------------------*/
void delay2(void);
void DoWriteFlash(void)
{
unsigned char i;
unsigned char j;
FLCR=0b00000001; //①1->PGM
i=FLBPR; //②读FLBPR
//③任意数->faddr,选中flash行
*((volatile unsigned char *)faddr)=56;
asm ("bsr _delay2"); //④延时10us
FLCR=0b00001001; //⑤1->HVEN
asm ("bsr _delay2"); //⑥延时10us
//⑦将数据写入相应的flash地址
for(i=0;i<N;i++)
{ //数据送入flash地址
*((volatile unsigned char *)faddr+i)=data[i];
for (j=0;j<30;j++); //⑧延时30us,不能调用延时程序
}
FLCR=0b00001000; //⑨0->PGM
asm ("bsr _delay2"); //⑩延时10us
FLCR=0b00000000; //⑾0->HVEN
asm ("bsr _delay2"); //⑿延时6us
}
void delay2(void) //延时一定时间
{ unsigned char j;
for (j=0;j<10;j++); }
void WriteFlash_END(void) //写入程序的末地址
{ }
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