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    匠人手记

    电容器的分类、特征及选择
    程序匠人 发表于 2005-10-16 22:11:00  阅读全文 | 回复(0) | 引用通告 | 编辑

    电容器的分类

    1、按照结构分三大类:固定电容器、可变电容器和微调电容器。
    2、按电解质分类有:有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介质电容器等。
    3、按用途分有:高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。
    4、频旁路:陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容器。
    5、低频旁路:纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。
    6、滤波:铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。
    7、调谐:陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。
    8、高频耦合:陶瓷电容器、云母电容器、聚苯乙烯电容器。
    9、低耦合:纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容器。
    10、小型电容:金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电 容器、固体钽电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。
     

     

    电源用电容器的选择
    雁舞白沙 发表于 2005-10-14 21:51:00 


      电容器是实现电源的宽范围电压和电流组合的最关键的无源元件之一。尽管每种电容器都能储存电能,但对于特定的应用来说,电介质技术在电容器的选择中起着重要的作用。
      电容器在电源中最重要的应用是在存储能量、浪涌电压保护、EMI抑制和控制电路等方面。我们可以通过图1了解到针对不同的应用领域,这些电介质技术彼此竞争或互为补充的关系。

    储能
      储能型电容器通过整流器收集电荷,并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40~450VDC、电容值在220~150 000ΜF之间的铝电解电容器(如EPCOS公司的 B43504或B43505)是较为常用的。根据不同的电源要求,器件有时会采用串联、并联或其组合的形式, 对于功率级超过10KW的电源,通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。
      要选择合适的电容值,需查看其额定直流电压、允许的电压波纹和充/放电周期。但是,在选择用于该应用的电解电容器时,应当考虑以下参数。
      典型电源中的电容器波纹电流为各个频率上的波纹电流的组合。波纹电流的RMS(均方根)值决定了电容器的温升。
      常见的一个错误是通过把各个频率上的波纹电流的平方值相加来计算RMS电流负载。实际上,必须考虑到随着波纹频率的增加,电容器的ESR下降。
      正确的做法是根据波纹因子的频率图估算出高频(到100HZ)时的波纹电流。采用估算的电流平方值来确定波纹电流。这才是真实的电流负载。
      由于环境温度决定着负载条件下的电容器寿命,因此,那些声誉卓著的制造商们均精确定义了波纹电流负载、环境温度与概率寿命之间的关系。在实际工作条件下,利用波纹电流负载和环境温度来确定概率寿命,而将公布的概率寿命作为绝对值。


    浪涌电压保护
      开关频率很高的现代功率半导体器件易受潜在的损害性电压尖峰脉冲的影响。跨接在功率半导体器件两端的浪涌电压保护电容器(如EPCOS B32620-J或B32651..56)通过吸收电压脉冲限制了峰值电压,从而对半导体器件起到了保护作用,使得浪涌电压保护电容器成为功率元件库中的重要一员。
      半导体器件的额定电压和电流值及其开关频率左右着浪涌电压保护电容器的选择。由于这些电容器承受着很陡的DV/DT值,因此,对于这种应用而言,薄膜电容器是恰当之选。
      在额定电压值高达2000VDC的条件下,典型的电容额定值在470PF~47NF之间。对于大功率的半导体器件,如IGBT,电容值可高达2.2ΜF,电压在1200VDC的范围内。
      不能仅根据电容值/电压值来选择电容器。在选择浪涌电压保护电容器时,还应考虑所需的DV/DT值。
      耗散因子决定着电容器内部的功率耗散。因此,应选择一个具有较低损耗因子的电容器作为替换。


    EMI/RFI抑制
      这些电容器连接在电源的输入端,以减轻由半导体所产生的电磁或无线电干扰。由于直接与主输入线相连,这些电容器易遭受到破坏性的过压和瞬态电压。因此,世界上各个地区都推出了不同的安全标准,包括欧洲的EN132 400,美国的UL1414和1283以及加拿大的CSAC22.2 NO.0,1和8。
      采用塑膜技术的X-级和Y-级电容器(如EPCOS B3292X/B81122)提供了最为廉价的抑制方法之一。抑制电容器的阻抗随着频率的增加而减小,允许高频电流通过电容器。X电容器在线路之间对此电流提供“短路”,Y电容器则在线路与接地设备之间对此电流提供“短路”。
      根据所能承受的浪涌电压的峰值,对X和Y电容器还有更细的分类。例如:一个电容值高达1ΜF的X2电容器的额定峰值浪涌电压为2.5KV,而电容值相近的X1电容器,其额定峰值浪涌电压则为4KV。应根据负载断电期间的峰值电压来选择合适的干扰抑制电容器的级别控制和逻辑电路
     
     

     


     
    常用电容器

    1、铝电解电容器
        用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成,薄的化氧化膜作介质的电容器.因为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性.容量大,能耐受大的脉动电流容量误差大,泄漏电流大;普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在25kHz以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波
    2、钽电解电容器
        用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器,特别是漏电流极小,贮存性良好,寿命长,容量误差小,而且体积小,单位体积下能得到最大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差,若损坏易呈短路状态超小型高可靠机件中
    3、薄膜电容器
        结构与纸质电容器相似,但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好,介电损耗小不能做成大的容量,耐热能力差滤波器、积分、振荡、定时电路
    4、瓷介电容器
        穿心式或支柱式结构瓷介电容器,它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小,频率特性好,介电损耗小,有温度补偿作用不能做成大的容量,受振动会引起容量变化特别适于高频旁路
    5、独石电容器
        (多层陶瓷电容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料,叠合后一次绕结成一块不可分割的整体,外面再用树脂包封而成小体积、大容量、高可靠和耐高温的新型电容器,高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能,体积极小,Q值高容量误差较大噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路
    6、纸质电容器
        一般是用两条铝箔作为电极,中间以厚度为0.008~0.012mm的电容器纸隔开重叠卷绕而成。制造工艺简单,价格便宜,能得到较大的电容量 
    一般在低频电路内,通常不能在高于3~4MHz的频率上运用。油浸电容器的耐压比普通纸质电容器高,稳定性也好,适用于高压电路
    7、微调电容器
        电容量可在某一小范围内调整,并可在调整后固定于某个电容值。 瓷介微调电容器的Q值高,体积也小,通常可分为圆管式及圆片式两种。 云母和聚苯乙烯介质的通常都采用弹簧式东,结构简单,但稳定性较差。 线绕瓷介微调电容器是拆铜丝〈外电极〉来变动电容量的,故容量只能变小,不适合在需反复调试的场合使用
    8、陶瓷电容器
        用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。 具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。高频瓷介电容器适用于高频电路
    9、玻璃釉电容器
        由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成,介质再以银层电极经烧结而成"独石"结构性能可与云母电容器媲美,能耐受各种气候环境,一般可在200℃或更高温度下工作,额定工作电压可达500V,损耗tgδ0.0005~0.008

     
     
     

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